Tecnologia da eletrônica de Shenzhen Goldensun limitada

 

Bom na citação para a lista de BOM que inclui IC, diodo, transistor, capacitor, resistor e assim por diante!

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Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

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Tipo estado ativo da memória não temporária da microplaqueta de IC da memória 24LC04B-I/SN da parte

China Tipo estado ativo da memória não temporária da microplaqueta de IC da memória 24LC04B-I/SN da parte fornecedor

Imagem Grande :  Tipo estado ativo da memória não temporária da microplaqueta de IC da memória 24LC04B-I/SN da parte

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Original
Marca: Original Manufacturer
Certificação: Rosh
Número do modelo: 24LC04B-I/SN

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negotiation
Detalhes da embalagem: embalagem original
Tempo de entrega: Em stock
Termos de pagamento: TT, Paypal, Western Union e assim por diante
Habilidade da fonte: 80000
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Descrição de produto detalhada
Estado da parte: Active Tipo da memória: Permanente
formato da memória: EEPROM Tecnologia: EEPROM
Tamanho da memória: 4Kb (256 x 8 x 2) freqüência de pulso de disparo: 400KHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: 5ms Tempo de acesso: 900ns

 

² C 400kHz 900ns 8-SOIC de IC 4Kb da memória da microplaqueta EEPROM de IC da memória 24LC04B-I/SN (256 x 8 x 2) I

 

Tabela da seleção do dispositivo

Nota 1: 100 quilohertz para VCC <2>

 

Características:

• Escolha a fonte com operação para baixo a 1.7V para os dispositivos 24AA04, 2.5V para os dispositivos 24LC04B

• Tecnologia do CMOS da baixa potência:

- Leia a corrente 1 miliampère, típica

- Corrente à espera 1 miliampère, típica

• Relação de série do 2-fio, I2C™ compatível

• Entradas de disparador de Schmitt para a supressão do ruído

• Controle da inclinação da saída para eliminar o salto à terra

• 100 quilohertz e 400 quilohertz de compatibilidade do pulso de disparo

• A página escreve a Senhora do tempo 3, típica

• O Erase Auto-programado/escreve o ciclo

• a página 16-Byte escreve o amortecedor

• O hardware escreve - proteja

• Proteção >4,000V do ESD

• Mais de 1 milhão Erase/escrevem ciclos

• Anos da retenção >200 dos dados

• Programação da fábrica disponível

• Os pacotes incluem 8 a ligação PDIP, SOIC, TSSOP, DFN, TDFN, MSOP e 5 ligação SOT-23 ou escala da microplaqueta de 4 ligações

• Pb-livre e RoHS complacentes

• Variações da temperatura:

- (i) industrial: -40°C a +85°C

- (e) automotivo: -40°C a +125°C

Tipos do pacote

Descrição:

O Microchip Tecnologia Inc. 24AA04/24LC04B (24XX04*) é um BAILE DE FINALISTAS apagável de 4 Kbit eletricamente. O dispositivo é organizado como dois blocos de uma memória de 8 bits de 256 x com uma relação de série de 2 fios. O projeto de baixa voltagem permite a operação para baixo a 1.7V, com as correntes à espera e ativas de somente 1 miliampère e de 1 miliampère, respectivamente. O 24XX04 igualmente manda uma página escrever a capacidade para até 16 bytes dos dados. O 24XX04 está disponível no pino PDIP do padrão 8, na montagem SOIC da superfície, no TSSOP, no 2x3 DFN, no 2x3 TDFN, e no MSOP

os pacotes e estão igualmente disponíveis pacote da escala da microplaqueta de 5 na ligação SOT-23, ou 4 ligações.

Diagrama de bloco

1,0 CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

Avaliações máximas absolutas (†)

VCC V

Todas as entradas e saídas w.r.t. VSS V VCC +1.0V

Temperatura de armazenamento. - 65°C a +150°C

Temperatura ambiental com o poder aplicado. - 40°C a +125°C

Proteção do ESD em todo o ³ do ...................................................................................................................................................... dos pinos 4 quilovolts

 

 
  Tipo estado ativo da memória não temporária da microplaqueta de IC da memória 24LC04B-I/SN da parte

 

TABELA 1-1: CARACTERÍSTICAS DE C.C.

 

CARACTERÍSTICAS DE C.C. (i) industrial: Automotivo (

 

E):

Ta = -40°C a +85°C, VCC = +1.7V a +5.5V Ta = -40°C a +125°C, VCC = +2.5V a +5.5V
Param. Não. Sym. Característico Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades Circunstâncias
D1 VIH Pinos do WP, da LCC e do SDA
D2 Tensão de entrada de nível elevado 0,7 VCC V
D3 VIL Tensão de entrada de baixo nível 0,3 VCC V
D4 VHYS Histerese de entradas de disparador de Schmitt 0,05 VCC V (Nota)
D5 VOL Tensão de baixo nível da saída 0,40 V IOL = 3,0 miliampères, VCC = 2.5V
D6 ILI Corrente do escapamento da entrada ±1 miliampère VIN = VSS ou VCC
D7 ILO Corrente do escapamento da saída ±1 miliampère VOUT = VSS ou VCC
D8 CIN, COUT Capacidade do Pin (todas as entradas/saídas) 10 PF

VCC = 5.0V (nota)

Ta = 25°C, FCLK = 1 megahertz

D9 ICC escrevem Corrente de funcionamento 0,1 3 miliampère VCC = 5.5V, LCC = 400 quilohertz
D10 ICC lido   0,05 1 miliampère
D11 ICCS Corrente à espera

0,01

1

5

miliampère

miliampère

Automotivo industrial

SDA = LCC = VCC WP = VSS

Nota: Este parâmetro é provado periodicamente e não 100% testado.

TABELA 1-2: CARACTERÍSTICAS DA C.A.

 

CARACTERÍSTICAS DA C.A. (i) industrial automotivo : (e): TA TA

= -40°C

= -40°C

a +85°C, VCC = +1.7V a +5.5V a +125°C, VCC = +2.5V a +5.5V
Param. Não. Sym. Característico Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades Circunstâncias
1 FCLK Frequência de pulso de disparo

400

100

quilohertz

2.5V £ 5.5V do £ VCC

1.7V £ VCC < 2="">(24AA04)

2 COXA Tempo do pulso de disparo

600

4000

ns

2.5V £ 5.5V do £ VCC

1.7V £ VCC < 2="">(24AA04)

3 TLOW Baixo tempo do pulso de disparo

1300

4700

ns

2.5V £ 5.5V do £ VCC

1.7V £ VCC < 2="">(24AA04)

4 TR

Tempo de elevação de SDA e de LCC

(Nota 1)

300

1000

ns

2.5V £ 5.5V do £ VCC (nota 1)

1.7V £ VCC < 2="">(24AA04)

(Nota 1)

5 TF Tempo de queda de SDA e de LCC

300 ns (Nota 1)
6 THD: STA Comece tempo de posse da circunstância

600

4000

ns

2.5V £ 5.5V do £ VCC

1.7V £ VCC < 2="">(24AA04)

7 TSU: STA Começam tempo de instalação da circunstância

600

4700

ns

2.5V £ 5.5V do £ VCC

1.7V £ VCC < 2="">(24AA04)

8 THD: DAT Tempo de posse da entrada de dados 0

ns (Nota 2)
9 TSU: DAT Tempo de instalação da entrada de dados

100

250

ns

2.5V £ 5.5V do £ VCC

1.7V £ VCC < 2="">(24AA04)

10 TSU: STO Param o tempo de instalação da circunstância

600

4000

ns

2.5V £ 5.5V do £ VCC

1.7V £ VCC < 2="">(24AA04)

11 TAA

Saída válida do pulso de disparo

(Nota 2)

900

3500

ns

2.5V £ 5.5V do £ VCC

1.7V £ VCC < 2="">(24AA04)

12 TBUF Tempo livre do ônibus: Cronometre o ônibus deve estar livre antes que uma transmissão nova possa começar

1300

4700

ns

2.5V £ 5.5V do £ VCC

1.7V £ VCC < 2="">(24AA04)

13 TOF Tempo de queda da saída do mínimo de VIH ao máximo de VIL

20+0.1CB

250

250

ns

2.5V £ 5.5V do £ VCC

1.7V £ VCC < 2="">(24AA04)

14 TSP

Supressão do ponto do filtro da entrada

(Pinos de SDA e de LCC)

50 ns (Notas 1 e 3)
15 TWC Escreva o tempo de ciclo (byte ou a página) 5 Senhora
16 Resistência 1M ciclos 25°C, (nota 4)

Nota 1: Não 100% testado. CB = capacidade do total de uma linha de ônibus no PF.

2: Como um transmissor, o dispositivo deve fornecer uma estadia de atraso mínima interna construir uma ponte sobre a região indeterminada (mínimo 300 ns) da borda de queda da LCC para evitar a geração sem intenção de condições do começo ou de parada.

3: As especificações combinadas do TSP e do VHYS são devido às entradas de disparador novas de Schmitt que fornecem a supressão melhorada do ponto de ruído. Isto elimina a necessidade para uma especificação do SI para a operação padrão.

 

 

Contacto
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