Tecnologia da eletrônica de Shenzhen Goldensun limitada

 

Bom na citação para a lista de BOM que inclui IC, diodo, transistor, capacitor, resistor e assim por diante!

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Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

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tecnologia 24LC64-I/P do CMOS da baixa potência do tempo de acesso da microplaqueta 900ns de IC da memória 8-PDIP

China tecnologia 24LC64-I/P do CMOS da baixa potência do tempo de acesso da microplaqueta 900ns de IC da memória 8-PDIP fornecedor

Imagem Grande :  tecnologia 24LC64-I/P do CMOS da baixa potência do tempo de acesso da microplaqueta 900ns de IC da memória 8-PDIP

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Original
Marca: Original Manufacturer
Certificação: Rosh
Número do modelo: 24LC64-I/P

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negotiation
Detalhes da embalagem: embalagem original
Tempo de entrega: Em stock
Termos de pagamento: TT, Paypal, Western Union e assim por diante
Habilidade da fonte: 80000
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Descrição de produto detalhada
Estado da parte: Active Tipo da memória: Permanente
formato da memória: EEPROM Tecnologia: EEPROM
Tamanho da memória: 64Kb (8K x 8) freqüência de pulso de disparo: 400KHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: 5ms Tempo de acesso: 900ns

 

² C 400kHz 900ns 8-PDIP de IC 64Kb da memória da microplaqueta EEPROM de IC da memória 24LC64-I/P (8K x 8) I

Tabela da seleção do dispositivo

 

Número da peça

VCC

Escala

Frequência de pulso de disparo máxima Escalas do Temp
24AA64 1.8-5.5 400 quilohertz (1) Mim
24LC64 2.5-5.5 400 quilohertz MIM, E

Nota 1: 100 quilohertz para VCC <2>

Características

• Escolha a fonte com operação para baixo a 1.8V

• Tecnologia do CMOS da baixa potência

- corrente ativa de 1 miliampère típica

- 1 corrente à espera do µA (máximo) (Eu-temp)

• Organizado como 8 blocos do bocado 8K (bocado 64K)

• ônibus de relação de série de 2 fios, I2C™ compatível

• Cascadable para até oito dispositivos

• Entradas de disparador de Schmitt para a supressão do ruído

• Controle da inclinação da saída para eliminar o salto à terra

• patibility de COM de 100 quilohertz (24AA64) e de 400 quilohertz (24LC64)

• Auto-programado escreva o ciclo (que inclui o auto-erase)

• Página-escreva o amortecedor para até 32 bytes

• 2 que a Senhora típica escreve o tempo de ciclo para página-escrevem

• O hardware escreve - proteja para a memória inteira

• Pode ser operado como uma ROM de série

• Programação da fábrica (QTP) disponível

• Proteção do ESD > 4,000V

• 1.000.000 erase/escrevem ciclos

• Retenção dos dados > 200 anos

• 8 ligação pacote de PDIP, de SOIC, de TSSOP, e de MSOP

• Variações da temperatura disponíveis:

- (i) industrial: -40°C a +85°C

- (e) automotivo: -40°C a +125°C

Descrição

O Microchip Tecnologia Inc. 24AA64/24LC64 (24XX64*) é um BAILE DE FINALISTAS apagável de 64 Kbit eletricamente. O dispositivo é organizado como oito blocos de memória de 8 bits de 1K x com uma relação de série de 2 fios. O projeto da baixa tensão permite a operação para baixo a 1.8V com as correntes à espera e ativas de somente 1 µA e de 1 miliampère respectivamente. Foi desenvolvido para cations avançados, da baixa potência do appli- tais como comunicações pessoais ou por aquisição de dados. O 24XX64 igualmente tem um capabil- da página-escrita ity para até 32 bytes dos dados. As linhas funcionais do endereço permitem até oito dispositivos no mesmo ônibus, para o espaço para endereço de até 512 Kbits. O 24XX64 está disponível no pino PDIP do padrão 8, na montagem SOIC da superfície, nos pacotes de TSSOP e de MSOP.

 

1,0 CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

† Absolutas máximas das avaliações

VCC V todas as entradas e saídas w.r.t. VSS V VCC +1.0V

Temperatura de armazenamento. - 65°C a +150°C

Temp ambiental. com o poder aplicado. - 40°C a +125°C

Proteção do ESD em todo o ≥ dos pinos 4 quilovolts

 

 
  tecnologia 24LC64-I/P do CMOS da baixa potência do tempo de acesso da microplaqueta 900ns de IC da memória 8-PDIP

 

 

 

1,1 características de C.C.

 

 

CARACTERÍSTICAS DE C.C.

VCC = +1.8V a +5.5V

(i) industrial: TAMB = -40°C a +85°C (e) automotivo: TAMB = -40°C a +125°C

Param. Não.

 

Sym

 

Característico

 

Minuto

 

Tipo

 

Máximo

 

Unidades

 

Circunstâncias

D1 VIH Pinos do WP, da LCC e do SDA
D2 Tensão de entrada de nível elevado 0,7 VCC V
D3 VIL Tensão de entrada de baixo nível 0,3 VCC V
D4 VHYS Histerese de entradas de disparador de Schmitt 0,05 VCC V (Nota 1)
D5 VOL Tensão de baixo nível da saída 0,40 V IOL = 3,0 miliampères, VCC = 2.5V
D6 ILI Corrente do escapamento da entrada ±10 µA VIN =.1V a VCC
D7 ILO Corrente do escapamento da saída ±10 µA VOUT =.1V a VCC
D8 CIN, COUT Capacidade do Pin (todas as entradas/saídas) 10 PF

VCC = 5.0V (nota 1)

TAMB = 25°C, FCLK = 1 megahertz

D9 ICC escrevem Corrente de funcionamento 0,1 3 miliampère VCC = 5.5V, LCC = 400 quilohertz
D10 ICC lido   0,05 1 miliampère
D11 ICCS Corrente à espera

.01

1

5

µA

µA

Automotivo industrial

SDA = LCC = VCC WP = VSS

Nota 1: Este parâmetro é provado periodicamente e não 100% testado.

2: Medidas típicas tomadas na temperatura ambiente.

1,0 características da C.A.

 

 

CARACTERÍSTICAS DA C.A.

VCC = +1.8V a +5.5V

(i) industrial: TAMB = -40°C a +85°C (e) automotivo: TAMB = -40°C a +125°C

Param. Não.

 

Sym

 

Característico

 

Minuto

 

Máximo

 

Unidades

 

Circunstâncias

1 FCLK Frequência de pulso de disparo

400

100

quilohertz

2.5V ≤ 5.5V do ≤ VCC

1.8V ≤ VCC < 2="">

2 COXA Tempo do pulso de disparo

600

4000

ns

2.5V ≤ 5.5V do ≤ VCC

1.8V ≤ VCC < 2="">

3 TLOW Baixo tempo do pulso de disparo

1300

4700

ns

2.5V ≤ 5.5V do ≤ VCC

1.8V ≤ VCC < 2="">

4 TR

Tempo de elevação de SDA e de LCC

(Nota 1)

300

1000

ns

2.5V ≤ 5.5V do ≤ VCC

1.8V ≤ VCC < 2="">

5 TF Tempo de queda de SDA e de LCC 300 ns (Nota 1)
6 THD: STA COMECE tempo de posse da circunstância

600

4000

ns

2.5V ≤ 5.5V do ≤ VCC

1.8V ≤ VCC < 2="">

7 TSU: STA COMECE tempo de instalação da circunstância

600

4700

ns

2.5V ≤ 5.5V do ≤ VCC

1.8V ≤ VCC < 2="">

8 THD: DAT Tempo de posse da entrada de dados 0 ns (Nota 2)
9 TSU: DAT Tempo de instalação da entrada de dados

100

250

ns

2.5V ≤ 5.5V do ≤ VCC

1.8V ≤ VCC < 2="">

10 TSU: STO PARE o tempo de instalação da circunstância

600

4000

ns

2.5V ≤ 5.5V do ≤ VCC

1.8V ≤ VCC < 2="">

11 TAA

Saída válida do pulso de disparo

(Nota 2)

900

3500

ns

2.5V ≤ 5.5V do ≤ VCC

1.8V ≤ VCC < 2="">

12 TBUF Tempo livre do ônibus: Cronometre o ônibus deve estar livre antes que uma transmissão nova possa começar

1300

4700

ns

2.5V ≤ 5.5V do ≤ VCC

1.8V ≤ VCC < 2="">

13 TOF Tempo de queda da saída do imum mínimo de VIH ao máximo de VIL

20+0.1CB

250

250

ns

2.5V ≤ 5.5V do ≤ VCC

1.8V ≤ 2.5V do ≤ VCC (24AA64)

14 TSP Supressão do ponto do filtro da entrada (pinos de SDA e de LCC) 50 ns (Notas 1 e 3)
15 TWC Escreva o tempo de ciclo (byte ou a página) 5 Senhora
16 Resistência 1M ciclos

25°C, VCC = 5.0V, modo de bloco

(Nota 4)

Nota 1: Não 100% testado. CB = capacidade do total de uma linha de ônibus no PF.

2: Como um transmissor, o dispositivo deve fornecer uma estadia de atraso mínima interna construir uma ponte sobre a região indeterminada (mínimo 300 ns) da borda de queda da LCC para evitar a geração sem intenção de condições do COMEÇO ou de PARADA.

3: As especificações combinadas do TSP e do VHYS são devido às entradas de disparador novas de Schmitt que fornecem a supressão melhorada do ponto de ruído. Isto elimina a necessidade para uma especificação do SI para a operação padrão.

4: Este parâmetro não é testado mas é assegurado pela caracterização. Para avaliações da resistência em um cation específico do appli-, consulte por favor o modelo total da resistência que pode ser obtido no Web site do microchip

 

Contacto
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