Tecnologia da eletrônica de Shenzhen Goldensun limitada

 

Bom na citação para a lista de BOM que inclui IC, diodo, transistor, capacitor, resistor e assim por diante!

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Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

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SRAM - Jogo assíncrono do circuito integrado, placa IS61LV25616AL-10TL do circuito integrado da memória

China SRAM - Jogo assíncrono do circuito integrado, placa IS61LV25616AL-10TL do circuito integrado da memória fornecedor

Imagem Grande :  SRAM - Jogo assíncrono do circuito integrado, placa IS61LV25616AL-10TL do circuito integrado da memória

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Original
Marca: Original Manufacturer
Certificação: Rosh
Número do modelo: IS61LV25616AL-10TL

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negotiation
Detalhes da embalagem: embalagem original
Tempo de entrega: Em stock
Termos de pagamento: TT, Paypal, Western Union e assim por diante
Habilidade da fonte: 80000
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Descrição de produto detalhada
Estado da parte: Active Tipo da memória: Temporário
formato da memória: SRAM Tecnologia: SRAM - Assíncrono
Tamanho da memória: 4Mb (256K x 16) Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: 10ns
Tempo de acesso: 10ns Relação da memória: Paralela

 

Microplaqueta SRAM de IC da memória de IS61LV25616AL-10TL - paralela assíncrona 10ns 44-TSOP II de IC 4Mb da memória (256K x 16)

 

256K x 16 CMOS ASSÍNCRONO DE ALTA VELOCIDADE RAM ESTÁTICO COM FONTE 3.3V

 

 

EM DEZEMBRO DE 2011

 

 

 

CARACTERÍSTICAS

• Tempo de acesso de alta velocidade:

— 10, 12 ns

• Operação da baixa potência do CMOS

• Ponto baixo suporte-pelo poder:

— Menos de 5 miliampères (tipo.) CMOS suporte-por

• Níveis de relação compatíveis de TTL

• Única fonte de alimentação 3.3V

• Operação inteiramente estática: nenhum pulso de disparo ou refresca exigido

• Três saídas do estado

• Controle de dados para bytes superiores e mais baixos

• Temperatura industrial disponível

• Disponível sem chumbo

 

 

 

 

DIAGRAMA DE BLOCO FUNCIONAL

DESCRIÇÃO

O ISSI IS61LV25616AL é um de alta velocidade, 4.194.304 bocado RAM estático organizado como 262.144 palavras por 16 bocados. É fabricado usando o technol- de capacidade elevada do CMOS de ISSI ogy. Este processo altamente confiável acoplado com técnicas de projeto inovativas do circuito, rendimentos de capacidade elevada e dispositivos do consumo da baixa potência.

 

Quando o CE for ALTO (deselected), o dispositivo supõe um modo à espera em que a dissipação de poder pode ser re duced para baixo com níveis de entrada do CMOS.

 

A expansão de memória fácil é fornecida usando a microplaqueta permite e para output permita entradas, CE e OE. O PONTO BAIXO ativo escreve permite a escrita dos controles de (WE) e a leitura da memória. Um byte de dados permite o byte superior (UB) e um mais baixo acesso de (LB) do byte.

 

O IS61LV25616AL é empacotado no pino do padrão 44 de JEDEC SOJ de 400 mil., 44 tipo II do pino TSOP, 44 pino LQFP e 48 fixam mini BGA (8mm x 10mm).

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (1)

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
Termo V Tensão terminal no que diz respeito à terra – 0,5 a VDD+0.5 V
stgde t Temperatura de armazenamento – 65 a +150 °C
Pt Dissipação de poder 1,0 W

Nota:

1. O esforço maior do que aqueles alistados sob AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS pode causar dano permanente ao dispositivo. Este é um esforço que avalia somente e a operação funcional do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles indicados nas seções operacionais desta especificação não é implicada. A exposição às condições da avaliação máxima absoluta por períodos prolongados pode afetar a confiança.

 

 

 

 

 

 

 

 

SRAM - Jogo assíncrono do circuito integrado, placa IS61LV25616AL-10TL do circuito integrado da memóriaESCALA DE FUNCIONAMENTO

 

 

VDD

 

SRAM - Jogo assíncrono do circuito integrado, placa IS61LV25616AL-10TL do circuito integrado da memóriaSRAM - Jogo assíncrono do circuito integrado, placa IS61LV25616AL-10TL do circuito integrado da memóriaSRAM - Jogo assíncrono do circuito integrado, placa IS61LV25616AL-10TL do circuito integrado da memóriaTemperatura ambiental 10ns 12ns 0°C comercial da escala a +70°C 3.3V +10%, -5% 3.3V + 10% industrial – 40°C a +85°C 3.3V +10%, -5% 3.3V + 10%

 

 

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS da C.C. (sobre a escala de funcionamento)

Símbolo Parâmetro Condições de teste   Mínimo. Máximo. Unidade
Voh Alta tensão da saída VDD = Min., Ioh = – 4,0 miliampères   2,4 V
OL V BAIXA tensão da saída VDD = Min., oLde I = 8,0 miliampères   0,4 V
VIH Alta tensão da entrada     2,0 VDD + 0,3 V
VIL BAIXA tensão da entrada (1)     – 0,3 0,8 V
MIMLI Escapamento da entrada £ V da terranoDD do ≤ V COM. – 2 2 µA
      Ind. – 5 5  
MimLo Escapamento da saída DD do £ Vdo £ V da terrapara fora COM. – 2 2 µA
    Saídas desabilitadas Ind. – 5 5  

Notas:

1. VIL (mínimo) = – 2.0V para a largura de pulso menos de 10 ns.

CARACTERÍSTICAS da FONTE de ALIMENTAÇÃO (1) (sobre a escala de funcionamento)

 

Símbolo

 

Parâmetro

 

Condições de teste

-10

Mínimo.

 

Máximo.

-12

Mínimo.

 

Máximo.

 

Unidade

Mimcentímetro cúbico Funcionamento dinâmico de VDD VDD = máximo, COM. 100 90 miliampère
  Corrente da fonte Mimpara fora = 0 miliampères, f = fmaX Ind. 110 100  
Mimsb Corrente à espera de TTL VDD = máximo, COM. 50 45 miliampère
  (Entradas de TTL)

Vem = VIH ou VIL Ind.

³ VIHdo CE, f = fmaX.

55 50  
Mimsb1 Corrente à espera de TTL VDD = máximo, COM. 20 20 miliampère
  (Entradas de TTL)

Vem = VIH ou VIL Ind.

³ VIHdo CE, f = 0

25 25  
Mimsb2 Apoio do CMOS VDD = máximo, COM. 15 15 miliampère
  Corrente (entradas do CMOS)

DD do ³ Vdo CE – 0.2V, Ind. VemDD do ³ V – 0.2V, ou

Vno ≤ 0.2V, f = 0

20 20  

Nota:

1. Em f = o fmaX, entradas do endereço e de dados estão dando um ciclo na frequência máxima, f = 0 não significam nenhuma linha mudança da entrada. Produto protegido da área durante o processo de desenvolvimento

 

 

 

 

CAPACIDADE (1)

Símbolo Parâmetro Circunstâncias Máximo. Unidade
cdentro Capacidade da entrada Vem = 0V 6 PF
cpara fora Capacidade do entrada/saída Vpara fora = 0V 8 PF

Nota:

1. Testado inicialmente e depois que alguns projetam ou processam as mudanças que podem afetar estes parâmetros.

Contacto
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Pessoa de Contato: Cary

Telefone: +8613760106370

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