Tecnologia da eletrônica de Shenzhen Goldensun limitada

 

Bom na citação para a lista de BOM que inclui IC, diodo, transistor, capacitor, resistor e assim por diante!

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Casa ProdutosMicroplaqueta de IC da memória

poder à espera 7mW CMOS IS61WV25616BLL-10TLI à espera da microplaqueta de IC da memória 4Mb paralela baixo

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poder à espera 7mW CMOS IS61WV25616BLL-10TLI à espera da microplaqueta de IC da memória 4Mb paralela baixo

China poder à espera 7mW CMOS IS61WV25616BLL-10TLI à espera da microplaqueta de IC da memória 4Mb paralela baixo fornecedor

Imagem Grande :  poder à espera 7mW CMOS IS61WV25616BLL-10TLI à espera da microplaqueta de IC da memória 4Mb paralela baixo

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Original
Marca: Original Manufacturer
Certificação: Rosh
Número do modelo: IS61WV25616BLL-10TLI

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negotiation
Detalhes da embalagem: embalagem original
Tempo de entrega: Em stock
Termos de pagamento: TT, Paypal, Western Union e assim por diante
Habilidade da fonte: 80000
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Descrição de produto detalhada
Estado da parte: Active Tipo da memória: Temporário
formato da memória: SRAM Tecnologia: SRAM - Assíncrono
Tamanho da memória: 4Mb (256K x 16) Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: 10ns
Tempo de acesso: 10ns Relação da memória: Paralela

 

Microplaqueta SRAM de IC da memória de IS61WV25616BLL-10TLI - paralela assíncrona 10ns 44-TSOP II de IC 4Mb da memória (256K x 16)

 

CARACTERÍSTICAS

ALTA VELOCIDADE: (IS61/64WV25616ALL/BLL)

• Tempo de acesso de alta velocidade: 8, 10, 20 ns

• Baixo Ative Power: 85 mW (típicos)

• Baixo poder à espera: apoio de 7 mW CMOS (típico)

BAIXA POTÊNCIA: (IS61/64WV25616ALS/BLS)

• Tempo de acesso de alta velocidade: 25, 35, 45 ns

• Baixo Ative Power: 35 mW (típicos)

• Baixo poder à espera: 0,6 apoios do mW CMOS (típico)

• Única fonte de alimentação

DD 1.65V de V a 2.2V (IS61WV25616Axx)

DD 2.4V de V a 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)

• Operação inteiramente estática: nenhum pulso de disparo ou refresca exigido

• Três saídas do estado

• Controle de dados para bytes superiores e mais baixos

• Apoio industrial e automotivo da temperatura

• Disponível sem chumbo

DIAGRAMA DE BLOCO FUNCIONAL

DESCRIÇÃO

O ISSI IS61WV25616Axx/Bxx e IS64WV25616Bxx

são de alta velocidade, 4.194.304 ram estáticas do bocado organizadas como 262.144 palavras por 16 bocados. É fabricado usando a tecnologia de capacidade elevada do CMOS de ISSI. Este pro cess altamente confiáveis acoplados com técnicas de projeto inovativas do circuito,

rendimentos de capacidade elevada e baixa potência consumo de vício.

 

Quando o CE for ALTO (deselected), o dispositivo supõe um modo à espera em que a dissipação de poder pode ser reduzida para baixo com níveis de entrada do CMOS.

 

A expansão de memória fácil é fornecida usando a microplaqueta permite e para output permita entradas, CE e OE. O PONTO BAIXO ativo escreve permite a escrita dos controles de (WE) e a leitura da memória. Um byte de dados permite o byte superior (UB) e um mais baixo acesso de (LB) do byte.

 

Os IS61WV25616Axx/Bxx e os IS64WV25616Bxx são empacotados no tipo II do pino TSOP do padrão 44 de JEDEC e 48 fixam mini BGA (6mm x 8mm).

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS da C.C. (sobre a escala de funcionamento)

VDD = 3.3V + 5%

 

Símbolo Parâmetro Condições de teste Mínimo. Máximo. Unidade
VOH Alta tensão da saída VDD = Min., IOH = – 4,0 miliampères 2,4 V
VOL BAIXA tensão da saída VDD = Min., IOL = 8,0 miliampères 0,4 V
VIH Alta tensão da entrada   2 VDD + 0,3 V
VIL BAIXA tensão da entrada (1)   – 0,3 0,8 V
MIMLI Escapamento da entrada £ V DA TERRANODD DO £ V – 1 1 µA
MIMLO Escapamento da saída ODD do £ Vdo £ V da terraPARA FORA, saídas desabilitou – 1 1 µA

Nota:

1. VIL (mínimo) = – C.C. 0.3V; VIL (mínimo) = – C.A. 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">

VIH (máximo) = V C.C.DD + 0.3V; VIH (máximo) = V C.A.DD + 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS da C.C. (sobre a escala de funcionamento)

VDD = 2.4V-3.6V

 

Símbolo Parâmetro Condições de teste Mínimo. Máximo. Unidade
VOH Alta tensão da saída VDD = Min., IOH = – 1,0 miliampères 1,8 V
VOL BAIXA tensão da saída VDD = Min., IOL = 1,0 miliampères 0,4 V
VIH Alta tensão da entrada   2,0 VDD + 0,3 V
VIL BAIXA tensão da entrada (1)   – 0,3 0,8 V
MIMLI Escapamento da entrada £ V DA TERRANODD DO £ V – 1 1 µA
MIMLO Escapamento da saída DD do £ Vdo £ V da terraPARA FORA, saídas desabilitadas – 1 1 µA

Nota:

1. VIL (mínimo) = – C.C. 0.3V; VIL (mínimo) = – C.A. 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">

VIH (máximo) = V C.C.DD + 0.3V; VIH (máximo) = V C.A.DD + 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS da C.C. (sobre a escala de funcionamento)

VDD = 1.65V-2.2V

 

Símbolo Parâmetro Condições de teste VDD Mínimo. Máximo. Unidade
VOH Alta tensão da saída MimOH = -0,1 miliampères 1.65-2.2V 1,4 V
VOL BAIXA tensão da saída MimOL = 0,1 miliampères 1.65-2.2V 0,2 V
VIH Alta tensão da entrada   1.65-2.2V 1,4 VDD + 0,2 V
VIL (1) BAIXA tensão da entrada   1.65-2.2V – 0,2 0,4 V
MIMLI Escapamento da entrada £ V DA TERRANODD DO £ V – 1 1 µA
MIMLO Escapamento da saída DD do £ Vdo £ V da terraPARA FORA, saídas desabilitadas – 1 1 µA

Nota:

1. VIL (mínimo) = – C.C. 0.3V; VIL (mínimo) = – C.A. 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">

VIH (máximo) = V C.C.DD + 0.3V; VIH (máximo) = V C.A.DD + 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">

CONDIÇÕES DE TESTE DA C.A.

 

Parâmetro Unidade Unidade Unidade
  (2.4V-3.6V) (3.3V +10%) (1.65V-2.2V)
InputPulseLevel 0Vto3V 0Vto3V 0Vto1.8V
Elevação da entrada e tempos de queda 1V/ ns 1V/ ns 1V/ ns
AndReferenceLevel de InputandOutputTiming (referênciade V) 1.5V 1.5V 0.9V
OutputLoad Veja figuras 1 e 2 Veja figuras 1 e 2 Veja figuras 1 e 2

Contacto
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Pessoa de Contato: Cary

Telefone: +8613760106370

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