Tecnologia da eletrônica de Shenzhen Goldensun limitada

 

Bom na citação para a lista de BOM que inclui IC, diodo, transistor, capacitor, resistor e assim por diante!

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Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

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Os circuitos integrados da eletrônica da memória, IC comum lascam IS61WV51216BLL-10TLI

China Os circuitos integrados da eletrônica da memória, IC comum lascam IS61WV51216BLL-10TLI fornecedor

Imagem Grande :  Os circuitos integrados da eletrônica da memória, IC comum lascam IS61WV51216BLL-10TLI

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Original
Marca: Original Manufacturer
Certificação: Rosh
Número do modelo: IS61WV51216BLL-10TLI

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negotiation
Detalhes da embalagem: embalagem original
Tempo de entrega: Em stock
Termos de pagamento: TT, Paypal, Western Union e assim por diante
Habilidade da fonte: 80000
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Descrição de produto detalhada
Estado da parte: Active Tipo da memória: Temporário
formato da memória: SRAM Tecnologia: SRAM - Assíncrono
Tamanho de memória 8Mb: (512K x 16) Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: 10ns
Tempo de acesso: 10ns Relação da memória: Paralela

 

Microplaqueta SRAM de IC da memória de IS61WV51216BLL-10TLI - paralela assíncrona 10ns 44-TSOP II de IC 8Mb da memória (512K x 16)

 

512K x 16 ASSÍNCRONOS DE ALTA VELOCIDADE

CMOS RAM ESTÁTICO COM 3.3V FONTE OUTUBRO 2009

CARACTERÍSTICAS

• Tempos de acesso de alta velocidade: 8, 10, 20 ns

• De capacidade elevada, processo do CMOS da baixa potência

• Poder center múltiplo e pinos à terra para a maior imunidade de ruído

• Expansão de memória fácil com os tions op do CE e do OE

• Poder-para baixo do CE

• Operação inteiramente estática: nenhum pulso de disparo ou refresca exigido

• Entradas e saídas compatíveis de TTL

• Única fonte de alimentação

VDD 1.65V a 2.2V (IS61WV51216ALL)

velocidade = 20ns paraDD 1.65V de V a 2.2V

VDD 2.4V a 3.6V (IS61/64WV51216BLL)

velocidade = 10ns paraDD 2.4V de V à velocidade 3.6V = ao 8ns para oDDde V 3.3V + 5%

• Empacota disponível:

– miniBGA de 48 bolas (9mm x 11mm)

– 44 pino TSOP (tipo II)

• Apoio industrial e automotivo da temperatura

• Disponível sem chumbo

• Controle de dados para bytes superiores e mais baixos

DIAGRAMA DE BLOCO FUNCIONAL

DESCRIÇÃO

O ISSI IS61WV51216ALL/BLL e IS64WV51216BLL

são de alta velocidade, as ram 8M-bit estáticas organizadas como as palavras 512K por 16 bocados. É fabricado usando ISSI alto-executa a tecnologia do CMOS do ance. Este processo altamente confiável acoplado com técnicas de projeto inovativas do circuito, rendimentos altos-perfor

dispositivos do consumo do mance e da baixa potência.

 

Quando o CE for ALTO (deselected), o dispositivo supõe um modo à espera em que a dissipação de poder pode ser reduzida para baixo com níveis de entrada do CMOS.

 

A expansão de memória fácil é fornecida usando a microplaqueta permite e para output permita entradas, CE e OE. O PONTO BAIXO ativo escreve permite a escrita dos controles de (WE) e a leitura da memória. Um byte de dados permite o byte superior (UB) e um mais baixo acesso de (LB) do byte.

 

O dispositivo é empacotado no tipo II do pino TSOP do padrão 44 de JEDEC e 48 fixam mini BGA (9mm x 11mm).

 

 

TABELA DE VERDADE  
            PIN DO I/O    
Modo NÓS CE OE Libra UB I/O0-I/O7 I/O8-I/O15 V corrente doDD
Não selecionado X H X X X Alto-z Alto-z MIMSB1, SB2DEI
Saída desabilitada H L H X X Alto-z Alto-z MIMCENTÍMETRO CÚBICO
  X L X H H Alto-z Alto-z  
Lido H L L L H DPARA FORA Alto-z MIMCENTÍMETRO CÚBICO
  H L L H L Alto-z DPARA FORA  
  H L L L L DPARA FORA DPARA FORA  
Escreva L L X L H DDENTRO Alto-z MIMCENTÍMETRO CÚBICO
  L L X H L Alto-z DDENTRO  
  L L X L L DDENTRO DDENTRO  

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (1)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VTERMO Tensão terminal no que diz respeito à terra – 0,5 a VDD + 0,5 V
VDD VoDD relaciona-se à terra – 0,3 a 4,0 V
TSTG Temperatura de armazenamento – 65 a +150 °C
PT Dissipação de poder 1,0 W

Notas:

1. O esforço maior do que aqueles alistados sob AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS pode causar dano permanente ao dispositivo. Este é um esforço que avalia somente e a operação funcional do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles indicados nas seções operacionais desta especificação não é implicada. A exposição às condições da avaliação máxima absoluta por períodos prolongados pode afetar a confiança.

 

 

 

CAPACIDADE (1,2)

 

Símbolo Parâmetro Circunstâncias Máximo. Unidade
CDENTRO Capacidade da entrada VEM = 0V 6 PF
I/ODE C Capacidade do entrada/saída VPARA FORA = 0V 8 PF

Notas:

1. Testado inicialmente e depois que alguns projetam ou processam as mudanças que podem afetar estes parâmetros.

2. Condições de teste: TA = 25°C, f = 1 megahertz, VDD = 3.3V.

ESCALA DE FUNCIONAMENTO (DD) DE V (IS61WV51216ALL)

 

Escala Temperatura ambiental VDD (20 nS)
Comercial 0°C a +70°C 1.65V-2.2V
Industrial – 40°C a +85°C 1.65V-2.2V
Automotivo – 40°C a +125°C 1.65V-2.2V

 

ESCALA DE FUNCIONAMENTO (DDDE V) (IS61WV51216BLL) (1)

 

Escala Temperatura ambiental VDD (8 nS) VDD (10 nS)
Comercial 0°C a +70°C 3.3V + 5% 2.4V-3.6V
Industrial – 40°C a +85°C 3.3V + 5% 2.4V-3.6V

Nota:

1. Quando operado na escala de 2.4V-3.6V, o dispositivo encontra 10ns. Quando operado na escala de 3.3V + 5%, o dispositivo encontra 8ns.

ESCALA DE FUNCIONAMENTO (DD) DE V (IS64WV51216BLL)

 

Escala Temperatura ambiental VDD (10 nS)
Automotivo – 40°C a +125°C 2.4V-3.6V

 

Contacto
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

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