Tecnologia da eletrônica de Shenzhen Goldensun limitada

 

Bom na citação para a lista de BOM que inclui IC, diodo, transistor, capacitor, resistor e assim por diante!

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Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

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relação da memória paralela de microplaqueta de memória Flash SST39VF6401B-70-4I-EKE do tamanho 64Mb

China relação da memória paralela de microplaqueta de memória Flash SST39VF6401B-70-4I-EKE do tamanho 64Mb fornecedor

Imagem Grande :  relação da memória paralela de microplaqueta de memória Flash SST39VF6401B-70-4I-EKE do tamanho 64Mb

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Original
Marca: Original Manufacturer
Certificação: Rosh
Número do modelo: SST39VF6401B-70-4I-EKE

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negotiation
Detalhes da embalagem: embalagem original
Tempo de entrega: Em stock
Termos de pagamento: TT, Paypal, Western Union e assim por diante
Habilidade da fonte: 80000
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Descrição de produto detalhada
Estado da parte: Active Tipo da memória: Permanente
formato da memória: Flash Tecnologia: Flash
Tamanho da memória: 64Mb (4M x 16) Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: 10µs
Tempo de acesso: 70ns Relação da memória: Paralela

 

Paralela 70ns 48-TSOP de IC 64Mb da memória Flash da microplaqueta de IC da memória de SST39VF6401B-70-4I-EKE (4M x 16)

 

CARACTERÍSTICAS:

Flash de múltiplos propósitos de 64 Mbit (x16) mais

relação da memória paralela de microplaqueta de memória Flash SST39VF6401B-70-4I-EKE do tamanho 64MbSST39VF6401B/SST39VF6402B

Organizado como 4M x16

A única tensão leu e escreveu operações

– 2.7-3.6V

Confiança superior

– Resistência: 100.000 ciclos (típico)

– Maior de 100 anos de retenção dos dados

Consumo da baixa potência (valores típicos em 5 megahertz)

– Corrente ativa: 9 miliampères (típico)

– Corrente à espera: µA 3 (típico)

– Auto modo da baixa potência: µA 3 (típico)

Pin da entrada do hardware Block-Protection/WP#

– Bloco-proteção superior (parte superior 32 KWord) para SST39VF6402B

– Bloco-proteção inferior (parte inferior 32 KWord) para SST39VF6401B

Capacidade do Setor-Erase

– Uniforme 2 setores do KWord

Capacidade do Bloco-Erase

– Uniforme 32 blocos do KWord

Capacidade do Microplaqueta-Erase

Erase-suspenda/capacidades do Erase-resumo

Pin da restauração do hardware (RST#)

Característica Segurança-identificação

– SST: 128 bocados; Usuário: 128 bocados

Jejua o tempo de acesso lido:

– 70 ns

– 90 ns

Endereço e dados travados

Jejuam o Erase e o Palavra-programa:

– Tempo do Setor-Erase: Senhora 18 (típica)

– Tempo do Bloco-Erase: Senhora 18 (típica)

– Tempo do Microplaqueta-Erase: Senhora 40 (típica)

– Tempo do Palavra-programa: 7 µs (típicos)

Automático escreva o sincronismo

– Geração internade VPP

Fim--escreva a detecção

– Firme bocados

– Votação de Data#

Compatibilidade do I/O do CMOS

Padrão de JEDEC

– Atribuições de Pin instantâneas de EEPROM

– Compatibilidade da sequência de comando do software

- O formato de endereço é 11 bocados, A10-um0

- Ônibus do Bloco-Erase o 6o escreve o ciclo é 30H

- Ônibus do Setor-Erase o 6o escreve o ciclo é 50H

Pacotes disponíveis

– 48 ligação TSOP (12mm x 20mm)

– 48 bola TFBGA (8mm x 10mm)

Todos os dispositivos (sem chumbo) do não-Pb são RoHS complacente

 

 

relação da memória paralela de microplaqueta de memória Flash SST39VF6401B-70-4I-EKE do tamanho 64Mb

 

 

DESCRIÇÃO DO PRODUTO

Os dispositivos de SST39VF640xB são flash de múltiplos propósitos de 4M x16 CMOS mais (MPF+) fabricado com tecnologia prietary de SST pro, de capacidade elevada do CMOS SuperFlash. O injetor do encapsulamento do projeto e do grosso-óxido da pilha da separação-porta alcança a melhor confiança e o manufacturability comparados com as aproximações alternativas. Os SST39VF640xB escrevem (pro grama ou Erase) com uma fonte de alimentação 2.7-3.6V. Estes dispositivos conformam-se às atribuições de pino padrão de JEDEC para as memórias x16.

Caracterizando o Palavra-programa do elevado desempenho, os dispositivos de SST39VF640xB fornecem uma estadia típica do Palavra-programa do µsec 7. Bocado do pino de madeira do uso destes dispositivos ou ing da votação de Data# para indicar a conclusão da operação do programa. Ao pro tect contra inadvertido escreva, têm esquemas da proteção de dados do hardware e do software da em-microplaqueta. Projetado, o manu- factured, e testado para um espectro largo das aplicações, estes dispositivos é oferecido com um ance típico garantido do endur- de 100.000 ciclos. A retenção dos dados é avaliada em maior de 100 anos.

Os dispositivos de SST39VF640xB são seridos para as aplicações que exigem a atualização conveniente e econômica do programa,

configuração, ou memória dos dados. Para todas as aplicações de sistema, melhoram significativamente o desempenho e a confiança, ao abaixar o consumo de potência. Inerentemente usam menos energia durante o Erase e programam-na do que tecnologias instantâneas alternativas. A energia total consumida é uma função da tensão, da corrente, e da época aplicadas da aplicação. Desde que para toda a escala dada da tensão, a tecnologia de SuperFlash se usa menos atual para programar e se tem uma estadia mais curto do erase, a energia total consumida durante qualquer operação do Erase ou do programa é menos do que tecnologias instantâneas alternativas. Estes dispositivos igualmente melhoram a flexibilidade ao abaixar o custo para o programa, os dados, e as aplicações do armazenamento da configuração.

A tecnologia de SuperFlash fornece o Erase fixo e os pro tempos do grama, independente do número de ciclos do Erase/programa que ocorreram. Consequentemente o software básico ou o hardware não têm que ser alterado ou de-avaliado como é necessário com tecnologias instantâneas alternativas, cujos os tempos do Erase e do programa aumentam com Erase acumulado/pro grama dos ciclos.

Para encontrar o alto densidade, as exigências da montagem da superfície, os dispositivos de SST39VF640xB são oferecidas 48 na ligação TSOP e nos 48 pacotes da bola TFBGA. Veja figuras 1 e 2 para atribuições de pino.

 

Operação do dispositivo

Os comandos são usados iniciar os tions funcionais da operação de memória do dispositivo. Os comandos são escritos ao dispositivo que usa o microprocessador padrão escrevem sequências. Um mand de COM é escrito afirmando o ponto baixo de WE# ao manter CE# baixo. O ônibus de endereço é travado na borda de queda de WE# ou de CE#, qualquer ocorre por último. O ônibus de dados é travado na borda de aumentação de WE# ou de CE#, qualquer ocorre primeiramente.

Os SST39VF640xB igualmente têm o auto modo da baixa potência que põe o dispositivo em um modo à espera próximo depois que os dados foram alcançados com uma operação lida válida. Isto reduz a corrente lida active doDD de I de tipicamente 9 miliampères ao µA tipicamente 3. O auto modo da baixa potência reduz o typi- cal que mimo active doDD leu a corrente à escala de 2 mA/MHz do tempo de ciclo lido. O dispositivo retira o auto modo da baixa potência com toda a transição do endereço ou transição de sinal do controle usada para iniciar outra ciclo lido, sem a pena do tempo de acesso. Note que o dispositivo não entra no Auto-baixo modo do poder após a ligação inicial com o CE# guardado firmemente baixo, até que a primeiro transição do endereço ou CE# estejam conduzidos altamente.

 

Leia

A operação lida do SST39VF640xB é controlada por CE# e OE#, ambos têm que ser baixos para que o sistema obtenha dados das saídas. CE# é usado para a seleção do dispositivo. Quando CE# é alto, a microplaqueta deselected e somente o poder à espera é consumido. OE# é o trol do engodo da saída e é usado para bloquear dados dos pinos da saída. O ônibus de dados está no estado alto da impedância quando CE# ou OE# são alto. Refira o diagrama cronometrando lido do ciclo para uns detalhes mais adicionais (figura 3).

 

Operação do Palavra-programa

Os SST39VF640xB são programados em uma base da palavra-por-palavra. Antes de programar, o setor onde a palavra existe deve inteiramente ser apagado. A operação do programa é realizada em três etapas. A primeira etapa é a sequência de carga de três-byte para a proteção de dados do software. A segunda etapa é carregar o endereço de palavra e os dados da palavra. Durante a operação do Palavra-programa, os endereços são travados na borda de queda de CE# ou de WE#, qualquer ocorre por último. Os dados são travados na borda de aumentação de CE# ou de WE#, qualquer ocorre primeiramente. A terceira etapa é a operação interna do programa que é iniciada após a borda de aumentação do quarto WE# ou CE#, qualquer ocorre primeiramente. A pro operação do grama, uma vez que iniciada, será terminada dentro de 10

µs. Veja figuras 4 e 5 para WE# e diagramas cronometrando da pro operação do grama e figura controlados CE# 19 para fluxogramas. Durante a operação do programa, o único válido lê é votação de Data# e bocado do pino de madeira. Durante a pro operação interna do grama, o anfitrião está livre executar tarefas adicionais.

 

 

Todos os comandos emitidos durante o tion interno da ópera do programa são ignorados. Durante a sequência de comando, WP# deve ser elevação ou baixo estaticamente guardado.

 

Operação do setor/Erase

A operação do Erase do setor (ou o bloco) permite que o sistema apague o dispositivo (ou bloco-pelo bloco) em uma base setor por setor. O modo do Setor-Erase e do Bloco-Erase da oferta de SST39VF640xB. A arquitetura do setor é baseada em um tamanho de setor uniforme de 2 KWord. O modo do Bloco-Erase é baseado em um tamanho de bloco uniforme de 32 KWord. A operação do Erase do setor é iniciada executando uma sequência do mand de COM de seis-byte com o comando do Setor-Erase (50H) e o endereço de setor (SA) no último ciclo do ônibus. A operação do Bloco-Erase é iniciada executando uma sequência de comando de seis-byte com o comando do Bloco-Erase (30H) e o endereço de bloco (BA) no último ciclo do ônibus. O endereço do setor ou de bloco está travado na borda de queda do sexto pulso de WE#, quando o comando (50H ou 30H) for travado na borda de aumentação do sexto pulso de WE#. A operação interna do Erase começa após o sexto pulso de WE#. Fim-da operação do Erase pode ser determinado usando um ou outro métodos da votação de Data# ou do bocado do pino de madeira. Veja figuras 9 e 10 para formas de onda do ing de tim e figure 23 para o fluxograma. Todos os mands de COM emitidos durante a operação do setor ou do Bloco-Erase são ignorados. Quando WP# é baixo, toda a tentativa ao Erase do setor (bloco) o bloco protegido estará ignorada. Durante a sequência de comando, WP# deve ser elevação ou baixo estaticamente guardado.

 

Erase-suspenda/comandos do Erase-resumo

A operação da Erase-suspensão suspende temporariamente uma operação do setor ou do Bloco-Erase que permite assim que os dados sejam lidos de todo o lugar de memória, ou dados do programa em qualquer setor/bloco que não for suspendido para uma operação do Erase. A operação é executada emitindo uma sequência de comando do byte com Erase-suspende o comando (B0H). O dispositivo entra automaticamente no modo lido tipicamente dentro de 20

µs depois que o comando da Erase-suspensão tinha sido emitido. Os dados válidos podem ser lidos de todo o setor ou bloco que não for suspendido de uma operação do Erase. Ler no lugar do endereço dentro dos setores/blocos erase-suspendidos output DQ2 que firmam e DQ6 em “1". Quando Erase-suspenda dentro o modo, uma operação do Palavra-programa está permitida à exceção do setor ou do bloco selecionado para Erase-Suspender.

Para recomeçar a operação do Setor-Erase ou do Bloco-Erase que foi suspendida o sistema deve emitir o comando do resumo do Erase. A operação é executada emitindo uma sequência de comando do byte com o comando do resumo do Erase (30H) em todo o endereço na última sequência do byte.

 

Contacto
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Pessoa de Contato: Cary

Telefone: +8613760106370

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