Tecnologia da eletrônica de Shenzhen Goldensun limitada

 

Bom na citação para a lista de BOM que inclui IC, diodo, transistor, capacitor, resistor e assim por diante!

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Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

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FLASH obsoleto da microplaqueta de IC da memória do estado da parte escala larga W25Q16BVSSIG - NEM do Temp da memória

China FLASH obsoleto da microplaqueta de IC da memória do estado da parte escala larga W25Q16BVSSIG - NEM do Temp da memória fornecedor

Imagem Grande :  FLASH obsoleto da microplaqueta de IC da memória do estado da parte escala larga W25Q16BVSSIG - NEM do Temp da memória

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Original
Marca: Original Manufacturer
Certificação: Rosh
Número do modelo: W25Q16BVSSIG

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negotiation
Detalhes da embalagem: embalagem original
Tempo de entrega: Em stock
Termos de pagamento: TT, Paypal, Western Union e assim por diante
Habilidade da fonte: 80000
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Descrição de produto detalhada
Estado da parte: Obsoleto Tipo da memória: Permanente
formato da memória: Flash Tecnologia: FLASH - NEM
Tamanho da memória: 16Mb (2M x 8) freqüência de pulso de disparo: 104MHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: 3ms Relação da memória: SPI

 

FLASH da microplaqueta de IC da memória de W25Q16BVSSIG - NEM memória IC 16Mb (2M x 8) SPI 104MHz 8-SOIC

 

Categorias

Circuitos integrados (ICs)

 

Memória

 

Fabricante

Eletrônica de Winbond

 

Série

SpiFlash®

 

Empacotamento 

Tubo 

 

Estado da parte

Obsoleto

 

Tipo da memória

Permanente

 

Formato da memória

FLASH

 

Tecnologia

FLASH - NEM

 

Tamanho de memória

16Mb (2M x 8)

 

Frequência de pulso de disparo

104MHz

 

Escreva o tempo de ciclo - palavra, página

3ms

 

Relação da memória

SPI

 

Tensão - fonte

2,7 V ~ 3,6 V

 

Temperatura de funcionamento

-40°C ~ 85°C (TA)

 

Tipo da montagem

Montagem de superfície

 

Pacote/caso

8-SOIC (0,209", largura de 5.30mm)

 

Pacote do dispositivo do fornecedor

8-SOIC

 

1. DESCRIÇÃO GERAL

 

A memória Flash de série de W25Q16BV (16M-bit) fornece uma solução do armazenamento para sistemas o espaço, os pinos e o poder limitados. A série 25Q oferece a flexibilidade e o desempenho bem além dos dispositivos instantâneos de série ordinários. São ideais para o código que sombreia a RAM, executando o código diretamente de duplo/quadrilátero SPI (XIP) e armazenando a voz, o texto e os dados. Os dispositivos operam sobre um único 2.7V à fonte de alimentação 3.6V com consumo atual tão baixo quanto o active 4mA e o 1µA para o poder-para baixo. Todos os dispositivos são oferecidos em pacotes da economia do espaço.

A disposição de W25Q16BV é organizada em 8.192 páginas programáveis de 256 bytes cada um. Até 256 bytes podem ser programados em um momento. As páginas podem ser apagadas nos grupos de 16 (erase do setor), nos grupos de 128 (erase do bloco 32KB), nos grupos de 256 (erase do bloco 64KB) ou na microplaqueta inteira (erase da microplaqueta). O W25Q16BV tem 512 setores apagáveis e 32 blocos apagáveis respectivamente. Os setores 4KB pequenos permitem a maior flexibilidade nas aplicações que exigem o armazenamento dos dados e do parâmetro. (Veja figura 2.)

O W25Q16BV apoia a relação periférica de série padrão (SPI), e um elevado desempenho duplo/quadrilátero output assim como I/O SPI Dual/quadrilátero: Pulso de disparo de série, dados seletos, de série I/O0 (DI) da microplaqueta, I/O1 (FAÇA), I/O2 (/WP), e I/O3 (/HOLD). As frequências de pulso de disparo de SPI até de 104MHz são apoiadas permitindo taxas de pulso de disparo equivalentes de 208MHz para a saída dupla e 416MHz para o quadrilátero Output quando usando as instruções lidas rápidas duplas/do quadrilátero saída. Estas taxas de transferência podem outperform 8 assíncronos padrão e memórias Flash paralelas de 16 bits. O modo lido contínuo permite o acesso de memória eficiente com os somente 8 pulsos de disparo das instrução-despesas gerais ler uns 24 endereços de bocado, permitindo a operação verdadeira de XIP (execute no lugar).

Um pino da posse, escreve - proteja o pino e programável escreva a proteção, com parte superior ou o controle da disposição da parte inferior, fornece uma flexibilidade mais adicional do controle. Adicionalmente, o dispositivo apoia a identificação padrão do fabricante e de dispositivo de JEDEC com um número de série original 64-bit.

1. CARACTERÍSTICAS

 

· Família de memórias de SpiFlash

– W25Q16BV: 16M-bit/2M-byte (2.097.152)

– 256 bytes pela página programável

· O padrão, Dual ou quadrilátero SPI

– SPI padrão: CLK, /CS, DI, FAZEM, /WP, /Hold

– SPI duplo: CLK, /CS, IO0, IO1, /WP, /Hold

– Quadrilátero SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3

· Flash da série do desempenho o mais alto

– Até 8X que do flash de série ordinário

– operação de pulso de disparo 104MHz

– 208MHz SPI duplo equivalente

– 416MHz quadrilátero equivalente SPI

– Taxa de transferência de dados 50MB/S contínua

· “Modo lido contínuo eficiente”

– Baixa instrução aérea

– Somente 8 pulsos de disparo para endereçar a memória

– Permite a operação verdadeira de XIP (execute no lugar)

– Outperforms o flash da paralela X16

 

 

Notas 1. Refira a informação pedindo.

· Baixa potência, variação da temperatura larga

– Escolha 2,7 à fonte 3.6V

– corrente 4mA ativa, <1>

– -40°C à escala de funcionamento de +85°C

· Arquitetura flexível com setores 4KB

– Erase uniforme do setor (4K-bytes)

– Erase do bloco (32K e 64K-bytes)

– Programa um a 256 bytes

– Mais de 100.000 erase/escrevem ciclos

– Retenção de mais de 20 dados do ano

· Características de segurança avançada

– O software e o hardware escrevem - proteja

– Seleção da parte superior ou da parte inferior, do setor ou do bloco

– Congelamento e proteção de OTP(1)

– identificação original 64-bit para cada dispositivo

· Empacotamento eficiente do espaço

   – 8 pino SOIC 150(2)/208-mil

– 8 almofada WSON 6x5-milímetro

– 8 pino PDIP 300 mil.(2)

– 16 pino SOIC 300 mil.(2)

– Contato Winbond para KGD e outras opções

 

 

Contacto
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Pessoa de Contato: Cary

Telefone: +8613760106370

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