Tecnologia da eletrônica de Shenzhen Goldensun limitada

 

Bom na citação para a lista de BOM que inclui IC, diodo, transistor, capacitor, resistor e assim por diante!

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Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

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Microplaquetas da placa de circuito de IC da memória do elevado desempenho, componente bonde W25Q64JVSSIQ de IC

China Microplaquetas da placa de circuito de IC da memória do elevado desempenho, componente bonde W25Q64JVSSIQ de IC fornecedor

Imagem Grande :  Microplaquetas da placa de circuito de IC da memória do elevado desempenho, componente bonde W25Q64JVSSIQ de IC

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Original
Marca: Original Manufacturer
Certificação: Rosh
Número do modelo: W25Q64JVSSIQ

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negotiation
Detalhes da embalagem: embalagem original
Tempo de entrega: Em stock
Termos de pagamento: TT, Paypal, Western Union e assim por diante
Habilidade da fonte: 80000
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Descrição de produto detalhada
Estado da parte: Active Tipo da memória: Permanente
formato da memória: Flash Tecnologia: FLASH - NEM
Tamanho da memória: 64Mb (8M x 8) freqüência de pulso de disparo: 133MHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: 3ms Relação da memória: SPI

 
FLASH da microplaqueta de IC da memória de W25Q64JVSSIQ - NEM memória IC 64Mb (8M x 8) SPI 133MHz 8-SOIC
 

1. DESCRIÇÃO GERAL

A memória Flash de série de W25Q64BV (64M-bit) fornece uma solução do armazenamento para sistemas o espaço, os pinos e o poder limitados. A série 25Q oferece a flexibilidade e o desempenho bem além dos dispositivos instantâneos de série ordinários. São ideais para o código que sombreia a RAM, executando o código diretamente de duplo/quadrilátero SPI (XIP) e armazenando a voz, o texto e os dados. Os dispositivos operam sobre um único 2.7V à fonte de alimentação 3.6V com consumo atual tão baixo quanto o active 4mA e o 1µA para o poder-para baixo. Todos os dispositivos são oferecidos em pacotes da economia do espaço.

A disposição de W25Q64BV é organizada em 32.768 páginas programáveis de 256 bytes cada um. Até 256 bytes podem ser programados em um momento. As páginas podem ser apagadas nos grupos de 16 (erase do setor), nos grupos de 128 (erase do bloco 32KB), nos grupos de 256 (erase do bloco 64KB) ou na microplaqueta inteira (erase da microplaqueta). O W25Q64BV tem 2.048 setores apagáveis e 128 blocos apagáveis respectivamente. Os setores 4KB pequenos permitem a maior flexibilidade nas aplicações que exigem o armazenamento dos dados e do parâmetro. (Veja figura 2.)

O W25Q64BV apoia a relação periférica de série padrão (SPI), e um elevado desempenho duplo/quadrilátero output assim como I/O SPI Dual/quadrilátero: Pulso de disparo de série, dados seletos, de série I/O0 (DI) da microplaqueta, I/O1 (FAÇA), I/O2 (/WP), e I/O3 (/HOLD). As frequências de pulso de disparo de SPI até de 80MHz são apoiadas permitindo taxas de pulso de disparo equivalentes de 160MHz para a saída dupla e 320MHz para o quadrilátero Output quando usando as instruções lidas rápidas duplas/do quadrilátero saída. Estas taxas de transferência podem outperform 8 assíncronos padrão e memórias Flash paralelas de 16 bits. O modo lido contínuo permite o acesso de memória eficiente com os somente 8 pulsos de disparo das instrução-despesas gerais ler uns 24 endereços de bocado, permitindo a operação verdadeira de XIP (execute no lugar).

Um pino da posse, escreve - proteja o pino e programável escreva a proteção, com parte superior ou o controle da disposição da parte inferior, fornece uma flexibilidade mais adicional do controle. Adicionalmente, o dispositivo apoia a identificação padrão do fabricante e de dispositivo de JEDEC com um número de série original 64-bit.
 

2. CARACTERÍSTICAS

 

· Família de memórias de SpiFlash

– W25Q64BV: 64M-bit/8M-byte (8.388.608)

– 256 bytes pela página programável

· O padrão, Dual ou quadrilátero SPI

– SPI padrão: CLK, /CS, DI, FAZEM, /WP, /Hold

– SPI duplo: CLK, /CS, IO0, IO1,/WP,/Hold

– Quadrilátero SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3

· Flash da série do desempenho o mais alto

– Até 6X que do flash de série ordinário

– operação de pulso de disparo 80MHz

– 160MHz SPI duplo equivalente

– 320MHz quadrilátero equivalente SPI

– Taxa de transferência de dados 40MB/S contínua

· “Modo lido contínuo eficiente”

– Baixa instrução aérea

– Somente 8 pulsos de disparo para endereçar a memória

– Permite a operação verdadeira de XIP (execute no lugar)

– Outperforms a nota 1 do flash da paralela X16: Contacte Winbond para detalhes

· Baixa potência, variação da temperatura larga

– Escolha 2,7 à fonte 3.6V

– corrente 4mA ativa, <1>

– -40°C à escala de funcionamento de +85°C

· Arquitetura flexível com setores 4KB

– Erase uniforme do setor (4K-bytes)

– Erase do bloco (32K e 64K-bytes)

– Programa um a 256 bytes

– Mais de 100.000 erase/escrevem ciclos

– Retenção de mais de 20 dados do ano

· Características de segurança avançada

– O software e o hardware escrevem - proteja

– Seleção da parte superior ou da parte inferior, do setor ou do bloco

– Congelamento e proteção de OTP(1)

– identificação original 64-bit para cada dispositivo(1)

· Empacotamento eficiente do espaço

– 8 pino SOIC 208 mil.

– 8 pino PDIP 300 mil.

– 8 almofada WSON 8x6-milímetro

– 16 pino SOIC 300 mil.

– Contato Winbond para KGD e outras opçõesMicroplaquetas da placa de circuito de IC da memória do elevado desempenho, componente bonde W25Q64JVSSIQ de ICMicroplaquetas da placa de circuito de IC da memória do elevado desempenho, componente bonde W25Q64JVSSIQ de IC

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