Tecnologia da eletrônica de Shenzhen Goldensun limitada

 

Bom na citação para a lista de BOM que inclui IC, diodo, transistor, capacitor, resistor e assim por diante!

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Microplaqueta de IC da memória

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Microplaqueta de IC da memória

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China FLASH obsoleto da microplaqueta de IC da memória do estado da parte escala larga W25Q16BVSSIG - NEM do Temp da memória fábrica

FLASH obsoleto da microplaqueta de IC da memória do estado da parte escala larga W25Q16BVSSIG - NEM do Temp da memória

FLASH da microplaqueta de IC da memória de W25Q16BVSSIG - NEM memória IC 16Mb (2M x 8) SPI 104MHz 8-SOIC Categorias Circuitos integrados (ICs) Memória Fabricante Eletrônica de Winbond Série SpiFlash® ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China relação da memória paralela de microplaqueta de memória Flash SST39VF6401B-70-4I-EKE do tamanho 64Mb fábrica

relação da memória paralela de microplaqueta de memória Flash SST39VF6401B-70-4I-EKE do tamanho 64Mb

Paralela 70ns 48-TSOP de IC 64Mb da memória Flash da microplaqueta de IC da memória de SST39VF6401B-70-4I-EKE (4M x 16) CARACTERÍSTICAS: Flash de múltiplos propósitos de 64 Mbit (x16) mais SST39VF6401B... Read More
2018-06-08 11:03:37
China a microplaqueta 3ms de IC da memória da frequência de pulso de disparo 133MHz escreve o tempo de ciclo W25Q16JVSSIQ fábrica

a microplaqueta 3ms de IC da memória da frequência de pulso de disparo 133MHz escreve o tempo de ciclo W25Q16JVSSIQ

FLASH da microplaqueta de IC da memória de W25Q16JVSSIQ - NEM memória IC 16Mb (2M x 8) SPI 133MHz 8-SOIC 1. DESCRIÇÃO GERAL (32M-bit) as memórias Flash W25Q80 (8M-bit), W25Q16 (16M-bit), e W25Q32 de série ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China Microplaquetas da placa de circuito de IC da memória do elevado desempenho, componente bonde W25Q64JVSSIQ de IC fábrica

Microplaquetas da placa de circuito de IC da memória do elevado desempenho, componente bonde W25Q64JVSSIQ de IC

FLASH da microplaqueta de IC da memória de W25Q64JVSSIQ - NEM memória IC 64Mb (8M x 8) SPI 133MHz 8-SOIC 1. DESCRIÇÃO GERALA memória Flash de série de W25Q64BV (64M-bit) fornece uma solução do armazenamento ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China Tipo estado ativo da memória não temporária da microplaqueta de IC da memória 24LC04B-I/SN da parte fábrica

Tipo estado ativo da memória não temporária da microplaqueta de IC da memória 24LC04B-I/SN da parte

² C 400kHz 900ns 8-SOIC de IC 4Kb da memória da microplaqueta EEPROM de IC da memória 24LC04B-I/SN (256 x 8 x 2) I Tabela da seleção do dispositivo Nota 1: 100 quilohertz para VCC Características: • Escolha a ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China o hardware da tecnologia do cartão de memória EEPROM de 400kHz 900ns IC escreve - proteja 24LC16B-I/SN fábrica

o hardware da tecnologia do cartão de memória EEPROM de 400kHz 900ns IC escreve - proteja 24LC16B-I/SN

² C 400kHz 900ns 8-SOIC de IC 16Kb da memória da microplaqueta EEPROM de IC da memória 24LC16B-I/SN (2K x 8) I Tabela da seleção do dispositivo Número da peça VCC Escala Frequência de pulso de disparo máxima ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China tecnologia 24LC64-I/P do CMOS da baixa potência do tempo de acesso da microplaqueta 900ns de IC da memória 8-PDIP fábrica

tecnologia 24LC64-I/P do CMOS da baixa potência do tempo de acesso da microplaqueta 900ns de IC da memória 8-PDIP

² C 400kHz 900ns 8-PDIP de IC 64Kb da memória da microplaqueta EEPROM de IC da memória 24LC64-I/P (8K x 8) I Tabela da seleção do dispositivo Número da peça VCC Escala Frequência de pulso de disparo máxima ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China SRAM - Jogo assíncrono do circuito integrado, placa IS61LV25616AL-10TL do circuito integrado da memória fábrica

SRAM - Jogo assíncrono do circuito integrado, placa IS61LV25616AL-10TL do circuito integrado da memória

Microplaqueta SRAM de IC da memória de IS61LV25616AL-10TL - paralela assíncrona 10ns 44-TSOP II de IC 4Mb da memória (256K x 16) 256K x 16 CMOS ASSÍNCRONO DE ALTA VELOCIDADE RAM ESTÁTICO COM FONTE 3.3V EM ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China poder à espera 7mW CMOS IS61WV25616BLL-10TLI à espera da microplaqueta de IC da memória 4Mb paralela baixo fábrica

poder à espera 7mW CMOS IS61WV25616BLL-10TLI à espera da microplaqueta de IC da memória 4Mb paralela baixo

Microplaqueta SRAM de IC da memória de IS61WV25616BLL-10TLI - paralela assíncrona 10ns 44-TSOP II de IC 4Mb da memória (256K x 16) CARACTERÍSTICAS ALTA VELOCIDADE: (IS61/64WV25616ALL/BLL) • Tempo de acesso de ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China Os circuitos integrados da eletrônica da memória, IC comum lascam IS61WV51216BLL-10TLI fábrica

Os circuitos integrados da eletrônica da memória, IC comum lascam IS61WV51216BLL-10TLI

Microplaqueta SRAM de IC da memória de IS61WV51216BLL-10TLI - paralela assíncrona 10ns 44-TSOP II de IC 8Mb da memória (512K x 16) 512K x 16 ASSÍNCRONOS DE ALTA VELOCIDADE CMOS RAM ESTÁTICO COM 3.3V FONTE ... Read More
2018-06-08 11:03:37
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